BSM600D12P3G001
#3573233
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: BSM600D12P3G001.pdf 943.2kb
Максимальная рабочая температура |
+ 150 C |
Вид монтажа |
Screw Mount |
Тип |
SiC Power MOSFET |
Vgs - напряжение затвор-исток |
18 V |
Упаковка / блок |
Module |
Vr - обратное напряжение |
1200 V |
Продукт |
Power MOSFET Modules |
Минимальная рабочая температура |
- 40 C |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для BSM600D12P3G001 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить BSM600D12P3G001 ROHM, ROHM SEMICONDUCTOR SIC MOSFET, DUAL N CHANNEL, 1.2KV, 600A можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
1+ 347483,10 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0203
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ROHM
BSM600D12P3G001 #BSM600D12P3G001 SiC-N-Ch-Half-Bridge+2xSBD 1200V 576A G- Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
||||
#0209
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ROHM
BSM600D12P3G001 #ROHBSM600D12P3G001 SiC Power Modul Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |