DMJ70H900HJ3 MOSFET

N-CH, 700V, 7A, TO-251

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES INC.

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMJ70H900HJ3.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.7ohm
Макс. рабочая температура	150°C
Тип корпуса транзистора	TO-251
Особо опасные вещества	No SVHC (15-Jan-2018)
Рассеиваемая мощность	68W
Напряжение источника стока	700V
Испытательное напряжение	10V
Непрерывный ток стока	7A
Количество контактов	3Pins
Полярность транзистора	N Channel
Пороговое напряжение	3.4V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMJ70H900HJ3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMJ70H900HJ3 DIODES INC. MOSFET, N-CH, 700V, 7A, TO-251 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	DIODES INC. DMJ70H900HJ3 #2709553 MOSFET, N-CH, 700V, 7A, TO-251	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	DIODES INC. DMJ70H900HJ3 #2709553 MOSFET, N-CH, 700V, 7A, TO-251 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽