IPD60R3K3C6BTMA1 MOSFET

N CH, 650V, 1.7A, TO-252-3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: IPD60R3K3C6BTMA1.pdf 204.0kb

Сопротивление при включенном состоянии	2.97ohm
Макс. рабочая температура	150°C
Тип корпуса транзистора	TO-252
Особо опасные вещества	No SVHC (27-Jun-2018)
Рассеиваемая мощность	18.1W
Напряжение источника стока	650V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Испытательное напряжение	10V
Непрерывный ток стока	1.7A
Количество контактов	3Pins
Полярность транзистора	N Channel
Пороговое напряжение	3V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPD60R3K3C6BTMA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPD60R3K3C6BTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES MOSFET, N CH, 650V, 1.7A, TO-252-3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies IPD60R3K3C6BTMA1 #2443436 MOSFET, N CH, 650V, 1.7A, TO-252-3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies IPD60R3K3C6BTMA1 #2443436 MOSFET, N CH, 650V, 1.7A, TO-252-3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽