IRF830ASPBF
#207733
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Техническая документация: IRF830ASPBF-.pdf
Макс. рабочая температура |
150°C |
Типовое напряжение |
500V |
Альтернативный тип корпуса |
D2-PAK |
Количество контактов |
3Pins |
Температура при токовой нагрузке |
25°C |
Измерение напряжения |
10V |
Сопротивление при включенном состоянии |
1.4ohm |
Импульсный ток модуля |
20A |
Напряжение |
500V |
Макс. номинальная температура |
25°C |
Рассеиваемая мощность |
125W |
Непрерывный ток стока |
5A |
Макс. сила тока |
5A |
Диапазон рабочих температур |
-55°C to +150°C |
Маркировка разметки |
IRF830AS |
Макс. напряжение |
4V |
Тепловое сопротивление перехода к корпусу A |
1.7°C/W |
Мин. рабочая температура |
-55°C |
Полярность транзистора |
N Channel |
Пороговое напряжение |
4.5V |
Тип прекращения |
Surface Mount Device |
Тип корпуса транзистора |
TO-263 |
Количество транзисторов |
1 |
Напряжение источника стока |
500V |
Испытательное напряжение |
10V |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для IRF830ASPBF. с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить IRF830ASPBF. VISHAY SEMICONDUCTOR, VISHAY SEMICONDUCTORS, VISHAY / SILICONIX, VISHAY, VISH/IR МОП-транзистор N-Chan 500V 5.0 Amp можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты