IXFN200N07 МОП-транзистор

HiPerFET, N Канал, 200 А, 70 В, 6 мОм, 10 В, 4 В

Внешний вид товара может отличаться от представленного

IXYS SEMICONDUCTOR

IXYS

По запросу

Запросить

Техническая документация: IXFN200N07.pdf

Напряжение изоляции	2.5kV
Макс. рабочая температура	150°C
Вес	0.044kg
Типовое напряжение	70V
Макс. повторяющаяся лавинная энергия	30mJ
Количество контактов	3Pins
Температура при токовой нагрузке	25°C
Измерение напряжения	10V
Сопротивление при включенном состоянии	0.006ohm
Импульсный ток модуля	600A
Макс. номинальная температура	25°C
Рассеиваемая мощность	520W
Непрерывный ток стока	200A
Макс. сила тока	200A
Диапазон рабочих температур	-55°C to +150°C
Макс. напряжение	4V
Макс. сопротивление при включенном состоянии	6mohm
Лавинная энергия единичного импульса	2J
Мин. рабочая температура	-55°C
Полярность транзистора	N Channel
Пороговое напряжение	4V
Макс. температура перехода	150°C
Тип прекращения	Screw
Тип корпуса транзистора	ISOTOP
Особо опасные вещества	No SVHC (12-Jan-2017)
Количество транзисторов	1
Напряжение источника стока	70V
Испытательное напряжение	10V
Мин. температура перехода	-55°C

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXFN200N07 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXFN200N07 IXYS SEMICONDUCTOR, IXYS МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 200 А, 70 В, 6 мОм, 10 В, 4 В можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 3

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#03011 Поставка: 15 - 25 дней	IXYS IXFN200N07 #238773	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXFN200N07 #238773 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N07 #4905659 МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 200 А, 70 В, 6 мОм, 10 В, 4 В	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N07 #4905659 МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 200 А, 70 В, 6 мОм, 10 В, 4 В Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXFN200N07 МОП-транзистор 70V 200A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт.	Запросить	IXYS IXFN200N07 МОП-транзистор 70V 200A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽