IXFN80N50 МОП-транзистор

HiPerFET, N Канал, 80 А, 500 В, 55 мОм, 10 В, 4.5 В

Внешний вид товара может отличаться от представленного

IXYS SEMICONDUCTOR

IXYS

По запросу

Запросить

Техническая документация: IXFN80N50.pdf

Макс. повторяющаяся лавинная энергия	64mJ
Скорость изменения напряжения	5V/ns
Макс. рабочая температура	150°C
Типовое напряжение	500V
Заряд затвора	380nC
Количество контактов	4Pins
Температура при токовой нагрузке	25°C
Измерение напряжения	10V
Сопротивление при включенном состоянии	0.055ohm
Импульсный ток модуля	320A
Макс. номинальная температура	25°C
Рассеиваемая мощность	780W
Непрерывный ток стока	80A
Макс. сила тока	80A
Диапазон рабочих температур	-55°C to +150°C
Макс. напряжение	4.5V
Макс. сопротивление при включенном состоянии	55mohm
Лавинная энергия единичного импульса	4J
Мин. рабочая температура	-55°C
Полярность транзистора	N Channel
Пороговое напряжение	4.5V
Макс. температура перехода	150°C
Тип прекращения	Screw
Тип корпуса транзистора	ISOTOP
Особо опасные вещества	No SVHC (12-Jan-2017)
Количество транзисторов	1
Напряжение источника стока	500V
Испытательное напряжение	10V
Мин. температура перехода	-55°C
Типовое время обратного восстановления	250ns

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXFN80N50 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXFN80N50 IXYS SEMICONDUCTOR, IXYS МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 80 А, 500 В, 55 мОм, 10 В, 4.5 В можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

7644.83 4

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0708 Поставка: 30 - 45 дней	IXYS IXFN80N50 #IXFN80N50 SOT227	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXFN80N50 #IXFN80N50 SOT227 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0202 Поставка: 27 - 35 дней	IXYS IXFN80N50 #IXFN80N50 Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; Ugs: ±40В; 694Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXFN80N50 #IXFN80N50 Модуль; одиночный транзистор; 500В; 80А; SOT227B; Ugs: ±40В; 694Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 #7348029 МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 80 А, 500 В, 55 мОм, 10 В, 4.5 В	1+ 7644,84 ₽ 5+ 7164,12 ₽ 10+ 6683,40 ₽ 50+ 6069,53 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS SEMICONDUCTOR IXFN80N50 #7348029 МОП-транзистор, HiPerFET, N Канал, 80 А, 500 В, 55 мОм, 10 В, 4.5 В 1+ 7644,84 ₽ 5+ 7164,12 ₽ 10+ 6683,40 ₽ 50+ 6069,53 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXFN80N50 МОП-транзистор 500V 80A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXFN80N50 МОП-транзистор 500V 80A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽