NDD04N60Z-1G
#NDD04N60Z-1G
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: NDD04N60Z-1G.pdf
Сопротивление при включенном состоянии |
1.8ohm |
Макс. рабочая температура |
150°C |
Тип корпуса транзистора |
TO-252 |
Особо опасные вещества |
No SVHC (15-Jan-2018) |
Рассеиваемая мощность |
83W |
Напряжение источника стока |
600V |
Испытательное напряжение |
10V |
Непрерывный ток стока |
4.1A |
Количество контактов |
3Pins |
Полярность транзистора |
N Channel |
Пороговое напряжение |
3.9V |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для NDD04N60Z-1G с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить NDD04N60Z-1G ON SEMICONDUCTOR МОП-транзистор NFET IPAK 600V 4A 1.8R можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0726
Поставка:
30 - 45 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NDD04N60Z-1G #NDD04N60Z-1G TO-251 Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0234
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |