PSMN8R5-108ES МОП-транзистор N-Channel 100V 8.5mohm Fet

Внешний вид товара может отличаться от представленного

NXP SEMICONDUCTORS

NEXPERIA

По запросу

Запросить

Техническая документация: PSMN8R5-108ES.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.0064ohm
Макс. рабочая температура	175°C
Тип корпуса транзистора	TO-226
Особо опасные вещества	No SVHC (15-Jan-2018)
Рассеиваемая мощность	263W
Напряжение источника стока	108V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Испытательное напряжение	10V
Непрерывный ток стока	100A
Мин. рабочая температура	-55°C
Количество контактов	3Pins
Полярность транзистора	N Channel
Пороговое напряжение	3V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для PSMN8R5-108ES с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить PSMN8R5-108ES NXP SEMICONDUCTORS, NEXPERIA МОП-транзистор N-Channel 100V 8.5mohm Fet можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 2

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Nexperia PSMN8R5-108ES #2400983 MOSFET, N CH, 108V, 100A, TO-262-3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Nexperia PSMN8R5-108ES #2400983 MOSFET, N CH, 108V, 100A, TO-262-3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
	#0206 Поставка: 40 - 60 дней	NXP Semiconductors PSMN8R5-108ES МОП-транзистор N-Channel 100V 8.5mohm Fet	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	NXP Semiconductors PSMN8R5-108ES МОП-транзистор N-Channel 100V 8.5mohm Fet Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽