RQJ0203WGDQA#H6
#2135170
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: RQJ0203WGDQA#H6.pdf
Сопротивление при включенном состоянии |
0.142ohm |
Макс. рабочая температура |
150°C |
Тип корпуса транзистора |
SOT-23 |
Особо опасные вещества |
No SVHC (12-Jan-2017) |
Рассеиваемая мощность |
800mW |
Напряжение источника стока |
-20V |
MSL |
MSL 1 - Unlimited |
Испытательное напряжение |
-4.5V |
Непрерывный ток стока |
-2.1A |
Количество контактов |
3Pins |
Полярность транзистора |
P Channel |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для RQJ0203WGDQA#H6 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить RQJ0203WGDQA#H6 RENESAS ELECTRONICS МОП-транзистор, P Канал, -2.1 А, -20 В, 0.142 Ом, -4.5 В можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
Renesas Electronics
RQJ0203WGDQA#H6
#2135170 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |