RQJ0301HGDQS#H3 MOSFET

P CH, 30V, 5.2A, SC-62

Внешний вид товара может отличаться от представленного

RENESAS ELECTRONICS

По запросу

Запросить

Техническая документация: RQJ0301HGDQS#H3.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.038ohm
Макс. рабочая температура	150°C
Тип корпуса транзистора	SOT-89
Особо опасные вещества	No SVHC (12-Jan-2017)
Рассеиваемая мощность	5W
Напряжение источника стока	-30V
MSL	MSL 2A - 4 weeks
Испытательное напряжение	-10V
Непрерывный ток стока	-5.2A
Количество контактов	3Pins
Полярность транзистора	P Channel

Ниже представлены все возможные варианты поставки для RQJ0301HGDQS#H3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить RQJ0301HGDQS#H3 RENESAS ELECTRONICS MOSFET, P CH, 30V, 5.2A, SC-62 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Renesas Electronics RQJ0301HGDQS#H3 #2135196 MOSFET, P CH, 30V, 5.2A, SC-62	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Renesas Electronics RQJ0301HGDQS#H3 #2135196 MOSFET, P CH, 30V, 5.2A, SC-62 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽