SI3457CDV-T1-GE3
#2361872
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: SI3457CDV-T1-GE3.pdf
Сопротивление при включенном состоянии |
0.074ohm |
Макс. рабочая температура |
150°C |
Тип корпуса транзистора |
TSOP |
Особо опасные вещества |
No SVHC (15-Jun-2015) |
Рассеиваемая мощность |
3W |
Напряжение источника стока |
-30V |
Испытательное напряжение |
-10V |
Непрерывный ток стока |
-5.1A |
Мин. рабочая температура |
-55°C |
Количество контактов |
6Pins |
Полярность транзистора |
P Channel |
Пороговое напряжение |
-1V |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI3457CDV-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SI3457CDV-T1-GE3 VISHAY MOSFET,P CH,30V,5.1A,TSOP6 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |