SI7703EDN-T1-GE3 MOSFET

P CH, -20V, -4.3A, POWERPAK 1212

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SI7703EDN-T1-GE3.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.041ohm
Макс. рабочая температура	150°C
Тип корпуса транзистора	PowerPAK 1212
Особо опасные вещества	No SVHC (15-Jun-2015)
Рассеиваемая мощность	1.3W
Напряжение источника стока	-20V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Испытательное напряжение	-4.5V
Непрерывный ток стока	-4.3A
Мин. рабочая температура	-55°C
Количество контактов	8Pins
Полярность транзистора	P Channel
Пороговое напряжение	-1V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI7703EDN-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI7703EDN-T1-GE3 VISHAY MOSFET, P CH, -20V, -4.3A, POWERPAK 1212 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SI7703EDN-T1-GE3 #2335373 MOSFET, P CH, -20V, -4.3A, POWERPAK 1212	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SI7703EDN-T1-GE3 #2335373 MOSFET, P CH, -20V, -4.3A, POWERPAK 1212 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽