SIR670DP-T1-GE3
#2400392
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: SIR670DP-T1-GE3.pdf
Сопротивление при включенном состоянии |
0.0039ohm |
Тип корпуса транзистора |
PowerPAK SO |
Макс. рабочая температура |
150°C |
Рассеиваемая мощность |
56.8W |
Напряжение источника стока |
60V |
MSL |
MSL 1 - Unlimited |
Испытательное напряжение |
10V |
Непрерывный ток стока |
60A |
Мин. рабочая температура |
-55°C |
Количество контактов |
8Pins |
Полярность транзистора |
N Channel |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIR670DP-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SIR670DP-T1-GE3 VISHAY SEMICONDUCTORS, VISHAY МОП-транзистор 60V 4.8mOhm@10V 60A N-CH можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
||
|
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
||
|
#02301
Поставка:
30 - 40 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |