SIR846ADP-T1-GE3
#2283691
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Техническая документация: SIR846ADP-T1-GE3.pdf
Сопротивление при включенном состоянии |
0.0065ohm |
Диапазон рабочих температур |
-55°C to +150°C |
Тип корпуса транзистора |
PowerPAK SO |
Макс. рабочая температура |
150°C |
Рассеиваемая мощность |
83W |
Напряжение источника стока |
100V |
MSL |
MSL 1 - Unlimited |
Испытательное напряжение |
10V |
Непрерывный ток стока |
60A |
Мин. рабочая температура |
-55°C |
Количество контактов |
8Pins |
Полярность транзистора |
N Channel |
Пороговое напряжение |
1.8V |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIR846ADP-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SIR846ADP-T1-GE3 VISHAY SEMICONDUCTORS, VISHAY / SILICONIX, VISHAY МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 100 В, 0.0065 Ом, 10 В, 1.8 В можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты