SIRA14BDP-T1-GE3
#3019116
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: SIRA14BDP-T1-GE3.pdf
Сопротивление при включенном состоянии |
0.0037ohm |
Макс. рабочая температура |
150°C |
Тип корпуса транзистора |
PowerPAK SO |
Особо опасные вещества |
No SVHC (15-Jan-2019) |
Рассеиваемая мощность |
36W |
Напряжение источника стока |
30V |
MSL |
MSL 1 - Unlimited |
Линейка продукции |
TrenchFET Gen IV Series |
Испытательное напряжение |
10V |
Непрерывный ток стока |
64A |
Количество контактов |
8Pins |
Полярность транзистора |
N Channel |
Пороговое напряжение |
2.2V |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIRA14BDP-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SIRA14BDP-T1-GE3 VISHAY / SILICONIX, VISHAY MOSFET, N-CH, 64A, 30V, POWERPAK SO можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
5+ 82,48 ₽ 10+ 64,56 ₽ 100+ 42,36 ₽ 500+ 33,19 ₽ 1000+ 29,33 ₽ 5000+ 25,46 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
5+ 82,48 ₽ 10+ 64,56 ₽ 100+ 42,36 ₽ 500+ 33,19 ₽ 1000+ 29,33 ₽ 5000+ 25,46 ₽ По запросу
Ожидается поставка |
||
|
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |