SISS66DN-T1-GE3 MOSFET

N-CH+SCHOTTKY, 30V, 178.3A

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

Запросить

Техническая документация: SISS66DN-T1-GE3.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.00115ohm
Макс. рабочая температура	150°C
Тип корпуса транзистора	PowerPAK 1212
Особо опасные вещества	No SVHC (15-Jan-2019)
Рассеиваемая мощность	65.8W
Напряжение источника стока	30V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Линейка продукции	TrenchFET Series
Испытательное напряжение	10V
Непрерывный ток стока	178.3A
Количество контактов	8Pins
Полярность транзистора	N Channel + Schottky
Пороговое напряжение	2.5V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SISS66DN-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SISS66DN-T1-GE3 VISHAY SEMICONDUCTOR, VISHAY SILICONIX, VISHAY / SILICONIX, VISHAY MOSFET, N-CH+SCHOTTKY, 30V, 178.3A можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

179.56 6

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SISS66DN-T1-GE3 #3128852 MOSFET, N-CH+SCHOTTKY, 30V, 178.3A	1+ 304,65 ₽ 10+ 239,33 ₽ 100+ 169,11 ₽ 500+ 144,07 ₽ 1000+ 137,09 ₽ 5000+ 129,87 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SISS66DN-T1-GE3 #3128852 MOSFET, N-CH+SCHOTTKY, 30V, 178.3A 1+ 304,65 ₽ 10+ 239,33 ₽ 100+ 169,11 ₽ 500+ 144,07 ₽ 1000+ 137,09 ₽ 5000+ 129,87 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay Siliconix SISS66DN-T1-GE3	6000+ 179,56 ₽ 1+ 360,25 ₽ 10+ 320,97 ₽ 100+ 250,30 ₽ 500+ 206,77 ₽ 1000+ 163,24 ₽	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 6000 шт. Кратность: 6000 шт.	Запросить	Vishay Siliconix SISS66DN-T1-GE3 None 6000+ 179,56 ₽ 1+ 360,25 ₽ 10+ 320,97 ₽ 100+ 250,30 ₽ 500+ 206,77 ₽ 1000+ 163,24 ₽ По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 6000 шт. Кратность: 6000 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay / Siliconix SISS66DN-T1-GE3	1+ 395,28 ₽ 10+ 357,75 ₽ 100+ 280,20 ₽ 500+ 228,91 ₽ 1000+ 180,63 ₽ 3000+ 169,87 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay / Siliconix SISS66DN-T1-GE3 None 1+ 395,28 ₽ 10+ 357,75 ₽ 100+ 280,20 ₽ 500+ 228,91 ₽ 1000+ 180,63 ₽ 3000+ 169,87 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0204 Поставка: 20 - 30 дней	Vishay Semiconductor SISS66DN-T1-GE3 #188-5137P N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET WITH SCHOTTK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay Semiconductor SISS66DN-T1-GE3 #188-5137P N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET WITH SCHOTTK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0204 Поставка: 20 - 30 дней	Vishay Semiconductor SISS66DN-T1-GE3 #188-5137 N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET WITH SCHOTTK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay Semiconductor SISS66DN-T1-GE3 #188-5137 N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET WITH SCHOTTK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0204 Поставка: 20 - 30 дней	Vishay Semiconductor SISS66DN-T1-GE3 #188-4906 N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET WITH SCHOTTK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay Semiconductor SISS66DN-T1-GE3 #188-4906 N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET WITH SCHOTTK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽