SQD50N03-3M1L-GE3 MOSFET

N-CH, 30V, 50A, DPAK

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SQD50N03-3M1L-GE3.pdf

Сопротивление при включенном состоянии	0.0027ohm
Стандарт для использования в автомобильных устройствах и системах	AEC-Q101
Тип корпуса транзистора	TO-252
Макс. рабочая температура	175°C
Рассеиваемая мощность	136W
Напряжение источника стока	30V
MSL	MSL 1 - Unlimited
Испытательное напряжение	10V
Непрерывный ток стока	50A
Мин. рабочая температура	-55°C
Количество контактов	3Pins
Полярность транзистора	N Channel
Пороговое напряжение	2V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SQD50N03-3M1L-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SQD50N03-3M1L-GE3 VISHAY MOSFET, N-CH, 30V, 50A, DPAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay SQD50N03-3M1L-GE3 #2364117 MOSFET, N-CH, 30V, 50A, DPAK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SQD50N03-3M1L-GE3 #2364117 MOSFET, N-CH, 30V, 50A, DPAK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽