Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Микросхемы — Памяти - микросхемы — Памяти SRAM - микросхемы — Памяти SRAM параллельные — AS6C8016B-55BINTR

AS6C8016B-55BINTR Память SRAM

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ALLIANCE MEMORY

По запросу

Запросить

Техническая документация: AS6C8016B-55BINTR.pdf

Тип микросхемы	память SRAM
Монтаж	SMD
Вид памяти	асинхронная
Рабочее напряжение	2,7...3,6В
Производитель	ALLIANCE MEMORY
Корпус	TFBGA48
Характеристики интегральных схем	LPC
Емкость памяти	8Мб
Структура памяти	512Кx16бит
Время доступа	55нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для AS6C8016B-55BINTR с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить AS6C8016B-55BINTR ALLIANCE MEMORY Память SRAM можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	ALLIANCE MEMORY AS6C8016B-55BINTR #AS6C8016B-55BINTR Память SRAM	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2000 шт. Кратность: 2000 шт.	Запросить	ALLIANCE MEMORY AS6C8016B-55BINTR #AS6C8016B-55BINTR Память SRAM Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2000 шт. Кратность: 2000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽