Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Микросхемы — Памяти - микросхемы — Памяти SRAM - микросхемы — Памяти SRAM параллельные — AS6CE4016B-45BINTR

AS6CE4016B-45BINTR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2

7÷3,6В; 45с; TFBGA48; бобина,лента

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ALLIANCE MEMORY

По запросу

Запросить

Техническая документация: AS6CE4016B-45BINTR.pdf

Тип микросхемы	память SRAM
Монтаж	SMD
Вид памяти	SRAM
Рабочее напряжение	2,7...3,6В
Производитель	ALLIANCE MEMORY
Корпус	TFBGA48
Емкость памяти	4Мб
Характеристики интегральных схем	LPC
Вид упаковки	лента
Структура памяти	256Кx16бит
Время доступа	45с

Ниже представлены все возможные варианты поставки для AS6CE4016B-45BINTR с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить AS6CE4016B-45BINTR ALLIANCE MEMORY IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TFBGA48; бобина,лента можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	ALLIANCE MEMORY AS6CE4016B-45BINTR #AS6CE4016B-45BINTR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TFBGA48; бобина,лента	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2000 шт. Кратность: 2000 шт.	Запросить	ALLIANCE MEMORY AS6CE4016B-45BINTR #AS6CE4016B-45BINTR IC: память SRAM; 256Кx16бит; 2,7÷3,6В; 45с; TFBGA48; бобина,лента Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2000 шт. Кратность: 2000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽