Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Микросхемы — Памяти - микросхемы — Памяти SRAM - микросхемы — Памяти SRAM параллельные — IS61WV51216EEBLL-10BLI

IS61WV51216EEBLL-10BLI IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2

4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC

INTEGRATED SILICON SOLUTION

ISSI

По запросу

ISSI IS61WV51216EEBLL-10BLI IS61WV51216EEBLL-10BLI

30-45 дней со склада #0712

698 шт. доступно В наличии на складе #0712.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Запросить

Техническая документация: IS61WV51216EEBLL-10BLI.pdf

Тип микросхемы	память SRAM
Монтаж	SMD
Вид памяти	SRAM
Рабочее напряжение	2,4...3,6В
Производитель	ISSI
Корпус	TFBGA48
Виды интерфейса	параллельный
Рабочая температура	-40...85°C
Емкость памяти	8Мб
Вид упаковки	туба
Структура памяти	512Кx16бит
Время доступа	10нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IS61WV51216EEBLL-10BLI с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IS61WV51216EEBLL-10BLI ISSI, INTEGRATED SILICON SOLUTION INC, INTEGRATED SILICON SOLUTION, ISSI IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 5

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0712 Поставка: 30 - 45 дней	ISSI IS61WV51216EEBLL-10BLI #IS61WV51216EEBLL-10BLI	Цены по запросу	698 шт. В наличии на складе #0712. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней	Запросить	ISSI IS61WV51216EEBLL-10BLI #IS61WV51216EEBLL-10BLI None Цены по запросу 698 шт. В наличии на складе #0712. Срок поставки со склада – 30-45 дней Поставка: 30-45 дней Запросить
#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ISSI IS61WV51216EEBLL-10BLI #WV51216EEBLL10BLI IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 480 шт. Кратность: 480 шт.	Запросить	ISSI IS61WV51216EEBLL-10BLI #WV51216EEBLL10BLI IC: память SRAM; 512Кx16бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TFBGA48; параллельный Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 480 шт. Кратность: 480 шт. Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10BLI	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 480 шт. Кратность: 480 шт.	Запросить	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10BLI None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 480 шт. Кратность: 480 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	ISSI IS61WV51216EEBLL-10BLI	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ISSI IS61WV51216EEBLL-10BLI Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Integrated Silicon Solution IS61WV51216EEBLL-10BLI #ISNIS61WV51216EE!C 8MB,HIGH-SPEED/LOW POWER,ASYNC WITH ECC,512K X 16,10NS,2.4V-3.6V,48 BALL MB	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 480 шт. Кратность: 480 шт.	Запросить	Integrated Silicon Solution IS61WV51216EEBLL-10BLI #ISNIS61WV51216EE!C 8MB,HIGH-SPEED/LOW POWER,ASYNC WITH ECC,512K X 16,10NS,2.4V-3.6V,48 BALL MB Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 480 шт. Кратность: 480 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽