loader
← Каталог

AS6C8016-55BIN SRAM

,

8 Мбит, 512К x 16бит, 2.7В до 5.5В, TFBGA, 48 вывод(-ов), 55 нс

AS6C8016-55BIN

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: AS6C8016-55BIN.pdf

Диапазон рабочих температур

-40°C to +85°C

Диапазон напряжения питания

2.7V to 5.5V

Тип прекращения

Surface Mount Device

Максимальное напряжение

5.5V

Особо опасные вещества

No SVHC (15-Jan-2018)

Напряжение памяти VCC

3.3V

Конфигурация памяти SRAM

512K x 16bit

Тип корпуса памяти

TFBGA

Мин. напряжение питания

2.7V

Тип памяти

SRAM

Макс. рабочая температура

85°C

RoHS Phthalates Compliant

To Be Advised

Мин. рабочая температура

-40°C

Количество контактов

48Pins

Объем памяти

8Mbit

Время доступа

55ns

Ниже представлены все возможные варианты поставки для AS6C8016-55BIN с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить AS6C8016-55BIN ALLIANCE MEMORY SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.7В до 5.5В, TFBGA, 48 вывод(-ов), 55 нс можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0201
Поставка:
40 - 60 дней
ALLIANCE MEMORY
AS6C8016-55BIN

#1562907

SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.7В до 5.5В, TFBGA, 48 вывод(-ов), 55 нс

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

ALLIANCE MEMORY
AS6C8016-55BIN

#1562907


SRAM, 8 Мбит, 512К x 16бит, 2.7В до 5.5В, TFBGA, 48 вывод(-ов), 55 нс

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка