loader
← Каталог

TGF2160 РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE

TGF2160

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: TGF2160.pdf

Другие названия товара №

1098617

Вид монтажа

SMD/SMT

Конфигурация

Dual

Vds - напряжение пробоя затвор-исток

- 7 V

Частота

20 GHz

Производитель

Qorvo

Максимальная рабочая температура

+ 150 C

Торговая марка

TriQuint (Qorvo)

Id - непрерывный ток утечки

517 mA

Диапазон рабочих температур

- 65 C to + 150 C

Технология

GaAs

Упаковка

Tray

P1dB

32.5 dBm

Pd - рассеивание мощности

5.6 W

Vds - напряжение пробоя сток-исток

12 V

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

619 mS

Тип транзистора

pHEMT

Минимальная рабочая температура

- 65 C

Усиление

10.4 dB

RoHS

 

Категория продукта

РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом

Ниже представлены все возможные варианты поставки для TGF2160 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить TGF2160 TRIQUINT (QORVO) РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0206
Поставка:
40 - 60 дней
TriQuint (Qorvo)
TGF2160
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 100 шт.
Кратность: 100 шт.

TriQuint (Qorvo)
TGF2160 РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом DC-20GHz Gain 10.4dB PAE 63% DIE

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 100 шт.
Кратность: 100 шт.