TN2010H-6G-TR Тиристор; 600В; Ifмакс: 20А; 8А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; бобина

лента

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ST MICROELECTRONICS

По запросу

Запросить

Техническая документация: TN2010H-6G-TR.pdf

Монтаж	SMD
Ток управления	10мА
Производитель	STMicroelectronics
Тип тиристора	тиристор
Корпус	D2PAK
Прямой ток	8А
Обратное напряжение макс.	600В
Вид упаковки	лента
Прямой ток макс.	20А
Характеристики полупроводниковых элементов	high temperature
Импульсный ток	180А

Ниже представлены все возможные варианты поставки для TN2010H-6G-TR с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить TN2010H-6G-TR ST MICROELECTRONICS Тиристор; 600В; Ifмакс: 20А; 8А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; бобина,лента можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ST Microelectronics TN2010H-6G-TR #TN2010H-6G-TR Тиристор; 600В; Ifмакс: 20А; 8А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; бобина,лента	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ST Microelectronics TN2010H-6G-TR #TN2010H-6G-TR Тиристор; 600В; Ifмакс: 20А; 8А; Igt: 10мА; D2PAK; SMD; бобина,лента Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽