AFGB40T65SQDN
#AFGB40T65SQDN
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: AFGB40T65SQDN.pdf
Монтаж |
SMD |
Ток коллектора в импульсе |
160А |
Производитель |
ONSEMI |
Применение |
автомобильная отрасль |
Корпус |
D2PAK |
Ток коллектора |
40А |
Рассеиваемая мощность |
119Вт |
Напряжение затвор - эмиттер |
±20В |
Заряд затвора |
76нC |
Тип транзистора |
IGBT |
Вид упаковки |
лента |
Характеристики полупроводниковых элементов |
integrated anti-parallel diode |
Напряжение коллектор-эмиттер |
650В |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для AFGB40T65SQDN с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить AFGB40T65SQDN ON SEMICONDUCTOR Транзистор: IGBT; 650В; 40А; 119Вт; D2PAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
27 - 35 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |