Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT SMD — HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A Транзистор: IGBT; 1200В; 2

7А; 60Вт; TO252AA

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: HGTD1N120BNS9A.pdf

Монтаж	SMD
Ток коллектора в импульсе	6А
Производитель	ONSEMI
Напряжение коллектор-эмиттер	1,2кВ
Корпус	DPAK
Ток коллектора	2,7А
Рассеиваемая мощность	60Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±20В
Заряд затвора	21нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	лента

Ниже представлены все возможные варианты поставки для HGTD1N120BNS9A с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить HGTD1N120BNS9A ON SEMICONDUCTOR Транзистор: IGBT; 1200В; 2,7А; 60Вт; TO252AA можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A #HGTD1N120BNS9A Транзистор: IGBT; 1200В; 2,7А; 60Вт; TO252AA	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	ON Semiconductor HGTD1N120BNS9A #HGTD1N120BNS9A Транзистор: IGBT; 1200В; 2,7А; 60Вт; TO252AA Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽