Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT SMD — IGB01N120H2ATMA1

IGB01N120H2ATMA1 Транзистор: IGBT; 1

2кВ; 1,3А; 28Вт; D2PAK

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

INFINEON

IFC

По запросу

Запросить

Техническая документация: IGB01N120H2ATMA1.pdf

Диапазон рабочих температур	-40°C to +150°C
Макс. рабочая температура	150°C
Тип корпуса транзистора	TO-263
Тип транзистора	IGBT
Напряжение коллектор-эмиттер	1.2kV
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	2.8V
Макс. рассеиваемая мощность	28W
Рассеиваемая мощность	28W
Постоянный ток коллектора	1A
MSL	MSL 1 - Unlimited
Особо опасные вещества	No SVHC (27-Jun-2018)
Мин. рабочая температура	-40°C
Количество контактов	3Pins

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IGB01N120H2ATMA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IGB01N120H2ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES, INFINEON, IFC Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 1,3А; 28Вт; D2PAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 5

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1 #IGB01N120H2ATMA1 Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 1,3А; 28Вт; D2PAK	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1 #IGB01N120H2ATMA1 Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 1,3А; 28Вт; D2PAK Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1 #1832368 IGBT,1200V,1A,TO263	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1 #1832368 IGBT,1200V,1A,TO263 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon IGB01N120H2ATMA1 #INFIGB01N120H2 TO263-3/A/HIGHSPEED2 IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	Infineon IGB01N120H2ATMA1 #INFIGB01N120H2 TO263-3/A/HIGHSPEED2 IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить
#0210 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1 #85332100 Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 3.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт.	Запросить	Infineon Technologies IGB01N120H2ATMA1 #85332100 Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 3.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Кратность: 1000 шт. Запросить
#0214 Поставка: 20 - 30 дней	IFC IGB01N120H2ATMA1 #IGB01N120H2LEELEN	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт.	Запросить	IFC IGB01N120H2ATMA1 #IGB01N120H2LEELEN None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 1000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽