IXBT10N170
#IXBT10N170
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (981) 751-11-91
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
← Каталог
![IXBT10N170]( "IXBT10N170")
Каталог
—
Каталог ТМЕ
—
Полупроводники
—
Транзисторы
—
Транзисторы и модули IGBT
—
Транзисторы IGBT
—
Транзисторы IGBT SMD
—
IXBT10N170
IXBT10N170 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1
,7кВ; 10А; 140Вт; TO268
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: IXBT10N170.pdf
Монтаж |
SMD |
Ток коллектора в импульсе |
40А |
Производитель |
IXYS |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1,7кВ |
Время выключения |
1,8мкс |
Корпус |
TO268 |
Ток коллектора |
10А |
Технология |
BiMOSFET™ |
Рассеиваемая мощность |
140Вт |
Напряжение затвор - эмиттер |
±20В |
Заряд затвора |
30нC |
Тип транзистора |
IGBT |
Вид упаковки |
туба |
Характеристики полупроводниковых элементов |
высоковольтный |
Время включения |
63нс |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXBT10N170 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить IXBT10N170 IXYS Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO268 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
0.00
2
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
27 - 35 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
||
.jpg "IXBT10N170")
|
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |