IXGT10N170
#IXGT10N170
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: IXGT10N170.pdf
Монтаж |
SMD |
Ток коллектора в импульсе |
70А |
Производитель |
IXYS |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1,7кВ |
Время выключения |
630нс |
Корпус |
TO268 |
Ток коллектора |
10А |
Технология |
NPT |
Рассеиваемая мощность |
110Вт |
Напряжение затвор - эмиттер |
±20В |
Заряд затвора |
32нC |
Тип транзистора |
IGBT |
Вид упаковки |
туба |
Характеристики полупроводниковых элементов |
высоковольтный |
Время включения |
300нс |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXGT10N170 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить IXGT10N170 , IXYS Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 10А; 110Вт; TO268 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
||||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |