loader
← Каталог

IXGT10N170 Транзистор: IGBT; NPT; 1

,

7кВ; 10А; 110Вт; TO268

IXGT10N170

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: IXGT10N170.pdf

Монтаж

SMD

Ток коллектора в импульсе

70А

Производитель

IXYS

Напряжение коллектор-эмиттер

1,7кВ

Время выключения

630нс

Корпус

TO268

Ток коллектора

10А

Технология

NPT

Рассеиваемая мощность

110Вт

Напряжение затвор - эмиттер

±20В

Заряд затвора

32нC

Тип транзистора

IGBT

Вид упаковки

туба

Характеристики полупроводниковых элементов

высоковольтный

Время включения

300нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXGT10N170 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXGT10N170 , IXYS Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 10А; 110Вт; TO268 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 3
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS
IXGT10N170

#IXGT10N170

Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 10А; 110Вт; TO268

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXGT10N170

#IXGT10N170


Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 10А; 110Вт; TO268

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
IXGT10N170

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXGT10N170 None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS
IXGT10N170
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXGT10N170 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 Amps 1700 V 4 V Rds

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка