loader
← Каталог

IXGT32N170A Транзистор: IGBT; NPT; 1

,

7кВ; 21А; 350Вт; TO268

IXGT32N170A

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: IXGT32N170A.pdf

Монтаж

SMD

Ток коллектора в импульсе

110А

Производитель

IXYS

Напряжение коллектор-эмиттер

1,7кВ

Время выключения

370нс

Корпус

TO268

Ток коллектора

21А

Технология

NPT

Рассеиваемая мощность

350Вт

Напряжение затвор - эмиттер

±20В

Заряд затвора

155нC

Тип транзистора

IGBT

Вид упаковки

туба

Характеристики полупроводниковых элементов

высоковольтный

Время включения

107нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXGT32N170A с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXGT32N170A , IXYS Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 21А; 350Вт; TO268 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 3
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS
IXGT32N170A

#IXGT32N170A

Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 21А; 350Вт; TO268

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXGT32N170A

#IXGT32N170A


Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 21А; 350Вт; TO268

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
IXGT32N170A

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXGT32N170A None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS
IXGT32N170A
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXGT32N170A Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 5.0 V Rds

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка