Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT SMD — MMIX1G320N60B3

MMIX1G320N60B3 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD

Внешний вид товара может отличаться от представленного

IXYS

По запросу

Запросить

Техническая документация: MMIX1G320N60B3.pdf

Монтаж	SMD
Ток коллектора в импульсе	1кА
Производитель	IXYS
Напряжение коллектор-эмиттер	600В
Время выключения	595нс
Корпус	SMPD
Ток коллектора	180А
Технология	PT
Рассеиваемая мощность	1кВт
Напряжение затвор - эмиттер	±20В
Заряд затвора	585нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Время включения	107нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для MMIX1G320N60B3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить MMIX1G320N60B3 IXYS Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS MMIX1G320N60B3 #MMIX1G320N60B3 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS MMIX1G320N60B3 #MMIX1G320N60B3 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽