loader
← Каталог

STGB30V60DF Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 258Вт; D2PAK

STGB30V60DF

Внешний вид товара может отличаться от представленного

Цена по запросу

STM STGB30V60DF STGB30V60DF
30-45 дней со склада #0725

2300 шт. доступно В наличии на складе #0725.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Запросить

  Техническая документация: STGB30V60DF.pdf

Монтаж

SMD

Ток коллектора в импульсе

120А

Производитель

STMicroelectronics

Напряжение коллектор-эмиттер

600В

Корпус

D2PAK

Ток коллектора

30А

Рассеиваемая мощность

258Вт

Напряжение затвор - эмиттер

±20В

Заряд затвора

163нC

Тип транзистора

IGBT

Вид упаковки

лента

Характеристики полупроводниковых элементов

integrated anti-parallel diode

Ниже представлены все возможные варианты поставки для STGB30V60DF с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить STGB30V60DF STM, ST MICROELECTRONICS Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 258Вт; D2PAK можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 7
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0725
Поставка:
30 - 45 дней
STM
STGB30V60DF

#STGB30V60DF

2021

Цены по запросу

2300 шт. В наличии на складе #0725.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Поставка: 30-45 дней

STM
STGB30V60DF

#STGB30V60DF


2021

Цены по запросу

2300 шт. В наличии на складе #0725.
Срок поставки со склада – 30-45 дней

Поставка: 30-45 дней

#0202
Поставка:
40 - 60 дней
ST Microelectronics
STGB30V60DF

#STGB30V60DF

Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 258Вт; D2PAK

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.

ST Microelectronics
STGB30V60DF

#STGB30V60DF


Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 258Вт; D2PAK

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
ST Microelectronics
STGB30V60DF
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

ST Microelectronics
STGB30V60DF Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT & Power Bipolar

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0208
Поставка:
40 - 60 дней
ST Microelectronics
STGB30V60DF

#STMSTGB30V60DF

D2PAK/600 V, 30 A trench gate field stop IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.

ST Microelectronics
STGB30V60DF

#STMSTGB30V60DF


D2PAK/600 V, 30 A trench gate field stop IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.

#0209
Поставка:
40 - 60 дней
ST Microelectronics
STGB30V60DF

#STMSTGB30V60DF

D2PAK/600 V, 30 A trench gate field stop IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.

ST Microelectronics
STGB30V60DF

#STMSTGB30V60DF


D2PAK/600 V, 30 A trench gate field stop IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.

#0209
Поставка:
40 - 60 дней
ST Microelectronics
STGB30V60DF

#STMSTGB30V60DF

D2PAK/600 V, 30 A trench gate field stop IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.

ST Microelectronics
STGB30V60DF

#STMSTGB30V60DF


D2PAK/600 V, 30 A trench gate field stop IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.

#0210
Поставка:
40 - 60 дней
ST Microelectronics
STGB30V60DF

#85412900

Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.

ST Microelectronics
STGB30V60DF

#85412900


Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 1000 шт.
Кратность: 1000 шт.