Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — APT100GN60LDQ4G

APT100GN60LDQ4G Транзистор: IGBT; 600В; 135А; 625Вт; TO264

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

MICROCHIP / MICROSEMI

MICROCHIP

MICROSEMI COPORATION

По запросу

Запросить

Техническая документация: APT100GN60LDQ4G.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	300А
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Напряжение коллектор-эмиттер	600В
Время выключения	435нс
Корпус	TO264
Ток коллектора	135А
Рассеиваемая мощность	625Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±30В
Заряд затвора	600нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Время включения	96нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT100GN60LDQ4G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT100GN60LDQ4G MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP / MICROSEMI, MICROCHIP , MICROSEMI COPORATION Транзистор: IGBT; 600В; 135А; 625Вт; TO264 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

2466.17 5

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 40 - 60 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT100GN60LDQ4G #APT100GN60LDQ4G Транзистор: IGBT; 600В; 135А; 625Вт; TO264	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT100GN60LDQ4G #APT100GN60LDQ4G Транзистор: IGBT; 600В; 135А; 625Вт; TO264 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT100GN60LDQ4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT100GN60LDQ4G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip / Microsemi APT100GN60LDQ4G	1+ 2466,17 ₽ 100+ 2265,24 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip / Microsemi APT100GN60LDQ4G None 1+ 2466,17 ₽ 100+ 2265,24 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip APT100GN60LDQ4G #MSWAPT100GN60LDQ4G TO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip APT100GN60LDQ4G #MSWAPT100GN60LDQ4G TO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT100GN60LDQ4G #MSWAPT100GN60LDQ4G TO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT100GN60LDQ4G #MSWAPT100GN60LDQ4G TO264/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - FIELDSTOP LOW FREQ - COMBI Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽