Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — APT200GN60B2G

APT200GN60B2G Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

MICROCHIP / MICROSEMI

MICROCHIP

MICROSEMI COPORATION

По запросу

Запросить

Техническая документация: APT200GN60B2G.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	600А
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Напряжение коллектор-эмиттер	600В
Время выключения	690нс
Корпус	T-Max
Ток коллектора	158А
Технология	Field Stop
Рассеиваемая мощность	682Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±20В
Заряд затвора	1180нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Время включения	130нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT200GN60B2G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT200GN60B2G MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP / MICROSEMI, MICROCHIP , MICROSEMI COPORATION Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 6

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 40 - 60 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT200GN60B2G #APT200GN60B2G Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT200GN60B2G #APT200GN60B2G Транзистор: IGBT; Field Stop; 600В; 158А; 682Вт; T-Max Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT200GN60B2G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT200GN60B2G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip / Microsemi APT200GN60B2G	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip / Microsemi APT200GN60B2G None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip APT200GN60B2G #MSWAPT200GN60B2G T-MAX [B2]	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip APT200GN60B2G #MSWAPT200GN60B2G T-MAX [B2] Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT200GN60B2G #MSWAPT200GN60B2G T-MAX [B2]	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT200GN60B2G #MSWAPT200GN60B2G T-MAX [B2] Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#02301 Поставка: 30 - 40 дней	Microsemi Coporation APT200GN60B2G IGBT 600V 283A 682W TO247	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT200GN60B2G IGBT 600V 283A 682W TO247 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽