APT25GP120BDQ1G
#APT25GP120BDQ1G
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
100 шт. доступно
В наличии на складе #0708.
Срок поставки со склада – 30-45 дней
Техническая документация: APT25GP120BDQ1G.pdf
Монтаж |
THT |
Ток коллектора в импульсе |
90А |
Производитель |
MICROCHIP (MICROSEMI) |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1,2кВ |
Время выключения |
200нс |
Корпус |
TO247-3 |
Ток коллектора |
33А |
Технология |
PT |
Рассеиваемая мощность |
417Вт |
Напряжение затвор - эмиттер |
±30В |
Заряд затвора |
110нC |
Тип транзистора |
IGBT |
Вид упаковки |
туба |
Характеристики полупроводниковых элементов |
integrated anti-parallel diode |
Время включения |
26нс |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT25GP120BDQ1G с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить APT25GP120BDQ1G MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP / MICROSEMI, MICROCHIP , MICROSEMI COPORATION Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0708
Поставка:
30 - 45 дней |
Цены по запросу |
100 шт.
В наличии на складе #0708. Поставка: 30-45 дней
|
Microchip
APT25GP120BDQ1G #APT25GP120BDQ1G TO-247 Цены по запросу
100 шт.
В наличии на складе #0708. Поставка: 30-45 дней
|
|||
#0202
Поставка:
40 - 60 дней |
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP120BDQ1G
#APT25GP120BDQ1G |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT25GP120BDQ1G #APT25GP120BDQ1G Транзистор: IGBT; PT; 1,2кВ; 33А; 417Вт; TO247-3 Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Microsemi Coporation
APT25GP120BDQ1G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
||||
#0209
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Microsemi Coporation
APT25GP120BDQ1G #MSWAPT25GP120BDQ1G TO-247/POWER MOS 7 IGBT Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0209
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Microchip
APT25GP120BDQ1G #MSWAPT25GP120BDQ1G TO-247/POWER MOS 7 IGBT Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#02301
Поставка:
30 - 40 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |