Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — APT43GA90BD30

APT43GA90BD30 Транзистор: IGBT; PT; 900В; 43А; 337Вт; TO247-3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

MICROCHIP / MICROSEMI

MICROCHIP

MICROSEMI COPORATION

По запросу

Запросить

Техническая документация: APT43GA90BD30.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	129А
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Напряжение коллектор-эмиттер	900В
Время выключения	246нс
Корпус	TO247-3
Ток коллектора	43А
Технология	PT
Рассеиваемая мощность	337Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±30В
Заряд затвора	116нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Характеристики полупроводниковых элементов	integrated anti-parallel diode
Время включения	28нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT43GA90BD30 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT43GA90BD30 MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP / MICROSEMI, MICROCHIP , MICROSEMI COPORATION Транзистор: IGBT; PT; 900В; 43А; 337Вт; TO247-3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

1572.38 5

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 40 - 60 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT43GA90BD30 #APT43GA90BD30 Транзистор: IGBT; PT; 900В; 43А; 337Вт; TO247-3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT43GA90BD30 #APT43GA90BD30 Транзистор: IGBT; PT; 900В; 43А; 337Вт; TO247-3 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT43GA90BD30 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT43GA90BD30 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip / Microsemi APT43GA90BD30	1+ 1572,38 ₽ 10+ 1570,22 ₽ 100+ 1438,47 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip / Microsemi APT43GA90BD30 None 1+ 1572,38 ₽ 10+ 1570,22 ₽ 100+ 1438,47 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip APT43GA90BD30 #MSWAPT43GA90BD30 TO-247//high speed Punch-Through switch-mode IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip APT43GA90BD30 #MSWAPT43GA90BD30 TO-247//high speed Punch-Through switch-mode IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT43GA90BD30 #MSWAPT43GA90BD30 TO-247//high speed Punch-Through switch-mode IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT43GA90BD30 #MSWAPT43GA90BD30 TO-247//high speed Punch-Through switch-mode IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽