Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — APT50GF120B2RG

APT50GF120B2RG Транзистор: IGBT; NPT; 1

2кВ; 75А; 781Вт; T-Max

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

MICROSEMI COPORATION

По запросу

Запросить

Техническая документация: APT50GF120B2RG.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	150А
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Напряжение коллектор-эмиттер	1,2кВ
Время выключения	395нс
Корпус	T-Max
Ток коллектора	75А
Технология	NPT
Рассеиваемая мощность	781Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±30В
Заряд затвора	340нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Время включения	68нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT50GF120B2RG с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT50GF120B2RG MICROCHIP (MICROSEMI), MICROSEMI COPORATION Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 75А; 781Вт; T-Max можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 2

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GF120B2RG #APT50GF120B2RG Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 75А; 781Вт; T-Max	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GF120B2RG #APT50GF120B2RG Транзистор: IGBT; NPT; 1,2кВ; 75А; 781Вт; T-Max Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
	#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT50GF120B2RG Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT50GF120B2RG Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Single Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽