Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — APT50GN120L2DQ2G

APT50GN120L2DQ2G Транзистор: IGBT; Field Stop; 1

2кВ; 66А; 543Вт; TO264MAX

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

MICROCHIP / MICROSEMI

MICROCHIP

MICROSEMI COPORATION

По запросу

Запросить

Техническая документация: APT50GN120L2DQ2G.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	150А
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Напряжение коллектор-эмиттер	1,2кВ
Время выключения	600нс
Корпус	TO264MAX
Ток коллектора	66А
Технология	Field Stop
Рассеиваемая мощность	543Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±30В
Заряд затвора	315нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Характеристики полупроводниковых элементов	integrated anti-parallel diode
Время включения	55нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT50GN120L2DQ2G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT50GN120L2DQ2G MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP / MICROSEMI, MICROCHIP , MICROSEMI COPORATION Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 66А; 543Вт; TO264MAX можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

3436.32 6

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 40 - 60 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GN120L2DQ2G #APT50GN120L2DQ2G Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 66А; 543Вт; TO264MAX	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GN120L2DQ2G #APT50GN120L2DQ2G Транзистор: IGBT; Field Stop; 1,2кВ; 66А; 543Вт; TO264MAX Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip APT50GN120L2DQ2G	1+ 3436,33 ₽ 100+ 3161,77 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip APT50GN120L2DQ2G None 1+ 3436,33 ₽ 100+ 3161,77 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT50GN120L2DQ2G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT50GN120L2DQ2G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip / Microsemi APT50GN120L2DQ2G	1+ 3458,47 ₽ 10+ 3456,25 ₽ 100+ 3179,49 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip / Microsemi APT50GN120L2DQ2G None 1+ 3458,47 ₽ 10+ 3456,25 ₽ 100+ 3179,49 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip APT50GN120L2DQ2G #MSWAPT50GN120L2D!A 264 MAX/134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip APT50GN120L2DQ2G #MSWAPT50GN120L2D!A 264 MAX/134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT50GN120L2DQ2G #MSWAPT50GN120L2D!A 264 MAX/134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT50GN120L2DQ2G #MSWAPT50GN120L2D!A 264 MAX/134 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽