Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — APT50GP60B2DQ2G

APT50GP60B2DQ2G Транзистор: IGBT; PT; 600В; 72А; 625Вт; T-Max

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

MICROCHIP / MICROSEMI

M6S

MICROSEMI COPORATION

По запросу

Запросить

Техническая документация: APT50GP60B2DQ2G.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	190А
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Напряжение коллектор-эмиттер	600В
Время выключения	200нс
Корпус	T-Max
Ток коллектора	72А
Технология	PT
Рассеиваемая мощность	625Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±30В
Заряд затвора	165нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Характеристики полупроводниковых элементов	integrated anti-parallel diode
Время включения	55нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT50GP60B2DQ2G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT50GP60B2DQ2G MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP / MICROSEMI, M6S, MICROSEMI COPORATION Транзистор: IGBT; PT; 600В; 72А; 625Вт; T-Max можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 4

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 40 - 60 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GP60B2DQ2G #APT50GP60B2DQ2G Транзистор: IGBT; PT; 600В; 72А; 625Вт; T-Max	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT50GP60B2DQ2G #APT50GP60B2DQ2G Транзистор: IGBT; PT; 600В; 72А; 625Вт; T-Max Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT50GP60B2DQ2G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT50GP60B2DQ2G Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip / Microsemi APT50GP60B2DQ2G	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip / Microsemi APT50GP60B2DQ2G None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0214 Поставка: 20 - 30 дней	M6S APT50GP60B2DQ2G #APT50GP60B2DQ2G	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 100 шт.	Запросить	M6S APT50GP60B2DQ2G #APT50GP60B2DQ2G None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 100 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽