Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40 Транзистор: IGBT; PT; 600В; 68А; 520Вт; T-Max

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

MICROCHIP

MICROSEMI COPORATION

По запросу

Запросить

Техническая документация: APT68GA60B2D40.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	202А
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Напряжение коллектор-эмиттер	600В
Время выключения	304нс
Корпус	T-Max
Ток коллектора	68А
Технология	PT
Рассеиваемая мощность	520Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±30В
Заряд затвора	198нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Характеристики полупроводниковых элементов	integrated anti-parallel diode
Время включения	46нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APT68GA60B2D40 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APT68GA60B2D40 MICROCHIP (MICROSEMI), MICROCHIP , MICROSEMI COPORATION Транзистор: IGBT; PT; 600В; 68А; 520Вт; T-Max можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 4

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 27 - 35 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B2D40 #APT68GA60B2D40 Транзистор: IGBT; PT; 600В; 68А; 520Вт; T-Max	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APT68GA60B2D40 #APT68GA60B2D40 Транзистор: IGBT; PT; 600В; 68А; 520Вт; T-Max Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT68GA60B2D40 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT68GA60B2D40 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Combi Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microchip APT68GA60B2D40 #MSWAPT68GA60B2D40 TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microchip APT68GA60B2D40 #MSWAPT68GA60B2D40 TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Microsemi Coporation APT68GA60B2D40 #MSWAPT68GA60B2D40 TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Microsemi Coporation APT68GA60B2D40 #MSWAPT68GA60B2D40 TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽