Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — BGH50N65ZF1

BGH50N65ZF1 Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-4

Внешний вид товара может отличаться от представленного

BASIC SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: BGH50N65ZF1.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	200А
Производитель	BASiC SEMICONDUCTOR
Напряжение коллектор-эмиттер	650В
Время выключения	476нс
Корпус	TO247-4
Ток коллектора	50А
Технология	Trench
Рассеиваемая мощность	357Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±20В
Заряд затвора	308нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Характеристики полупроводниковых элементов	integrated anti-parallel diode
Время включения	54нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для BGH50N65ZF1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить BGH50N65ZF1 None Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-4 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 #BGH50N65ZF1 Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-4	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	BASiC SEMICONDUCTOR BGH50N65ZF1 #BGH50N65ZF1 Транзистор: IGBT; SiC SBD; 650В; 50А; TO247-4 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽