Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — DG10X12T2

DG10X12T2 Транзистор: IGBT

Внешний вид товара может отличаться от представленного

STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.

По запросу

Запросить

Техническая документация: DG10X12T2.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	30А
Производитель	STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.
Напряжение коллектор-эмиттер	1200В
Время выключения	493нс
Корпус	TO247
Ток коллектора	10А
Рассеиваемая мощность	96Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±20В
Заряд затвора	0,08мкC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Характеристики полупроводниковых элементов	integrated anti-parallel diode
Время включения	37нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DG10X12T2 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DG10X12T2 None Транзистор: IGBT можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. DG10X12T2 #DG10X12T2 Транзистор: IGBT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD. DG10X12T2 #DG10X12T2 Транзистор: IGBT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽