loader
← Каталог

FGA30S120P Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT

FGA30S120P

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: FGA30S120P.pdf

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Вид монтажа

Through Hole

Конфигурация

Single

Упаковка / блок

TO-3PN

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

60 A

Производитель

Fairchild Semiconductor

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

60 A

Торговая марка

Fairchild Semiconductor

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1300 V

Ток утечки затвор-эмиттер

500 nA

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

25 V

Упаковка

Tube

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

2.3 V

Рассеяние мощности

174 W

Минимальная рабочая температура

- 55 C

Вес изделия

6.401 g

RoHS

 

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FGA30S120P с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FGA30S120P ON SEMICONDUCTOR, FAIRCHILD SEMICONDUCTOR Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 7
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Fairchild Semiconductor
FGA30S120P
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Fairchild Semiconductor
FGA30S120P Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Shorted AnodeTM IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
ON Semiconductor
FGA30S120P

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

ON Semiconductor
FGA30S120P None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0204
Поставка:
20 - 30 дней
ON Semiconductor
FGA30S120P

#145-4449

IGBT 1200V 30A SHORTED-ANODE TO3PN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 30 шт.
Кратность: 30 шт.

ON Semiconductor
FGA30S120P

#145-4449


IGBT 1200V 30A SHORTED-ANODE TO3PN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 30 шт.
Кратность: 30 шт.

#0204
Поставка:
20 - 30 дней
ON Semiconductor
FGA30S120P

#864-8789

IGBT 1200V 30A SHORTED-ANODE TO3PN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

ON Semiconductor
FGA30S120P

#864-8789


IGBT 1200V 30A SHORTED-ANODE TO3PN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0204
Поставка:
20 - 30 дней
ON Semiconductor
FGA30S120P

#864-8789P

IGBT 1200V 30A SHORTED-ANODE TO3PN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

ON Semiconductor
FGA30S120P

#864-8789P


IGBT 1200V 30A SHORTED-ANODE TO3PN

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0209
Поставка:
40 - 60 дней
ON Semiconductor
FGA30S120P

#FSCFGA30S120P

TO-3PN/1300V, 30A, Shorted-anode IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 30 шт.
Кратность: 30 шт.

ON Semiconductor
FGA30S120P

#FSCFGA30S120P


TO-3PN/1300V, 30A, Shorted-anode IGBT

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 30 шт.
Кратность: 30 шт.

#02301
Поставка:
30 - 40 дней
Fairchild Semiconductor
FGA30S120P
Fairchild Semiconductor FGA30S120P, Nжй IGBT ждз, 60 A, Vce=1300 V, 3й TO-3PNеи

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Fairchild Semiconductor
FGA30S120P Fairchild Semiconductor FGA30S120P, Nжй IGBT ждз, 60 A, Vce=1300 V, 3й TO-3PNеи

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка