loader
← Каталог

IXBH6N170 Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1

,

7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3

IXBH6N170

Внешний вид товара может отличаться от представленного

По запросу

  Техническая документация: IXBH6N170.pdf

Монтаж

THT

Ток коллектора в импульсе

36А

Производитель

IXYS

Напряжение коллектор-эмиттер

1,7кВ

Время выключения

700нс

Корпус

TO247-3

Ток коллектора

Технология

BiMOSFET™

Рассеиваемая мощность

75Вт

Напряжение затвор - эмиттер

±20В

Заряд затвора

17нC

Тип транзистора

IGBT

Вид упаковки

туба

Характеристики полупроводниковых элементов

высоковольтный

Время включения

104нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXBH6N170 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXBH6N170 IXYS Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 2
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
IXYS
IXBH6N170

#IXBH6N170

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXBH6N170

#IXBH6N170


Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
IXYS
IXBH6N170
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 Rds

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

IXYS
IXBH6N170 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700V 3.6 Rds

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка