Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы и модули IGBT — Транзисторы IGBT — Транзисторы IGBT THT — IXGR55N120A3H1

IXGR55N120A3H1 Транзистор: IGBT; GenX3™; 1

2кВ; 30А; 200Вт; PLUS247™

Внешний вид товара может отличаться от представленного

LITT

IXYS

По запросу

Запросить

Техническая документация: IXGR55N120A3H1.pdf

Монтаж	THT
Ток коллектора в импульсе	330А
Производитель	IXYS
Напряжение коллектор-эмиттер	1,2кВ
Время выключения	1253нс
Корпус	PLUS247™
Ток коллектора	30А
Технология	PT
Рассеиваемая мощность	200Вт
Напряжение затвор - эмиттер	±20В
Заряд затвора	185нC
Тип транзистора	IGBT
Вид упаковки	туба
Время включения	70нс

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXGR55N120A3H1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXGR55N120A3H1 LITT, IXYS Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 200Вт; PLUS247™ можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 3

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXGR55N120A3H1 #IXGR55N120A3H1 Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 200Вт; PLUS247™	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXGR55N120A3H1 #IXGR55N120A3H1 Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 30А; 200Вт; PLUS247™ Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0203 Поставка: 40 - 60 дней	LITT IXGR55N120A3H1 #IXGR55N120A3H1 1200V 70A 200W TO247-Isoplus	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 300 шт. Кратность: 300 шт.	Запросить	LITT IXGR55N120A3H1 #IXGR55N120A3H1 1200V 70A 200W TO247-Isoplus Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 300 шт. Кратность: 300 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	IXYS IXGR55N120A3H1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXGR55N120A3H1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diode Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽