Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы многоканальные — BSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1 Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0

5Вт; PG-TSOP-6

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: BSL308PEH6327XTSA1.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	INFINEON TECHNOLOGIES
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока	-2А
Корпус	PG-TSOP-6
Технология	OptiMOS™ P3
Рассеиваемая мощность	0,5Вт
Сопротивление в открытом состоянии	80мОм
Тип транзистора	P-MOSFET x2
Напряжение сток-исток	-30В
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для BSL308PEH6327XTSA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить BSL308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Infineon Technologies BSL308PEH6327XTSA1 #BSL308PEH6327XTSA1 Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт.	Запросить	Infineon Technologies BSL308PEH6327XTSA1 #BSL308PEH6327XTSA1 Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽