Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы многоканальные — DMG6602SVT-7

DMG6602SVT-7 Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2

8/-3,4А; 1,112Вт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES INCORPORATED

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMG6602SVT-7.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	1,112Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Ток стока	2,8/-3,4А
Корпус	TSOT26
Вид транзистора	дополнительная пара
Напряжение сток-исток	30/-30В
Сопротивление в открытом состоянии	0,06/0,095Ом
Тип транзистора	N/P-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMG6602SVT-7 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMG6602SVT-7 DIODES INCORPORATED Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,8/-3,4А; 1,112Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	DIODES INCORPORATED DMG6602SVT-7 #DMG6602SVT-7 Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,8/-3,4А; 1,112Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	DIODES INCORPORATED DMG6602SVT-7 #DMG6602SVT-7 Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 2,8/-3,4А; 1,112Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽