Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы многоканальные — DMN53D0LDW-7

DMN53D0LDW-7 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0

25А; 0,31Вт; SOT363

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES INCORPORATED

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMN53D0LDW-7.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	0,31Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока	0,25А
Корпус	SOT363
Напряжение сток-исток	50В
Сопротивление в открытом состоянии	2,5Ом
Тип транзистора	N-MOSFET x2
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMN53D0LDW-7 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMN53D0LDW-7 DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	DIODES INCORPORATED DMN53D0LDW-7 #DMN53D0LDW-7 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	DIODES INCORPORATED DMN53D0LDW-7 #DMN53D0LDW-7 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽