Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы многоканальные — DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0

26А; 0,3Вт; SOT363

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DIODES()

DIODES

DIODES INCORPORATED

По запросу

Запросить

Техническая документация: DMN63D8LDWQ-7.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	0,3Вт
Производитель	DIODES INCORPORATED
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока	0,26А
Корпус	SOT363
Напряжение сток-исток	30В
Сопротивление в открытом состоянии	2,8Ом
Тип транзистора	N-MOSFET x2
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±20В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DMN63D8LDWQ-7 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DMN63D8LDWQ-7 DIODES(), DIODES, DIODES INCORPORATED Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 6

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0715 Поставка: 30 - 45 дней	Diodes DMN63D8LDWQ-7 #DMN63D8LDWQ-7 SOT-363	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes DMN63D8LDWQ-7 #DMN63D8LDWQ-7 SOT-363 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0709 Поставка: 30 - 45 дней	DIODES() DMN63D8LDWQ-7 #DMN63D8LDWQ-7	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	DIODES() DMN63D8LDWQ-7 #DMN63D8LDWQ-7 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0202 Поставка: 27 - 35 дней	DIODES INCORPORATED DMN63D8LDWQ-7 #DMN63D8LDWQ-7 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	DIODES INCORPORATED DMN63D8LDWQ-7 #DMN63D8LDWQ-7 Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-7 МОП-транзистор Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-7 МОП-транзистор Dual N-Ch Enh FET 30Vdss 20Vdss 800mA Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0208 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-7 #DIIDMN63D8LDWQ7 SOT363/MOSFET 2N-CH 30V 0.22A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-7 #DIIDMN63D8LDWQ7 SOT363/MOSFET 2N-CH 30V 0.22A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-7 #DIIDMN63D8LDWQ7 SOT363/MOSFET 2N-CH 30V 0.22A	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	Diodes Incorporated DMN63D8LDWQ-7 #DIIDMN63D8LDWQ7 SOT363/MOSFET 2N-CH 30V 0.22A Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽