loader
← Каталог

QS8J4TR Транзистор: P-MOSFET x2

QS8J4TR

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: QS8J4TR.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

1,5Вт

Производитель

ROHM SEMICONDUCTOR

Характеристики полупроводниковых элементов

ESD protected gate

Ток стока в импульсном режиме

-16А

Ток стока

-4А

Корпус

TSMT8

Напряжение сток-исток

-30В

Сопротивление в открытом состоянии

84мОм

Заряд затвора

8,4нC

Тип транзистора

P-MOSFET x2

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для QS8J4TR с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить QS8J4TR ROHM SEMICONDUCTOR Транзистор: P-MOSFET x2 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
ROHM SEMICONDUCTOR
QS8J4TR

#QS8J4TR

Транзистор: P-MOSFET x2

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

ROHM SEMICONDUCTOR
QS8J4TR

#QS8J4TR


Транзистор: P-MOSFET x2

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка