SI1902CDL-T1-GE3
#SI1902CDL-T1-GE3
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: SI1902CDL-T1-GE3.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
0,27Вт |
Производитель |
VISHAY |
Ток стока |
0,9А |
Корпус |
SC70 |
Напряжение сток-исток |
20В |
Сопротивление в открытом состоянии |
235мОм |
Заряд затвора |
2нC |
Тип транзистора |
N-MOSFET x2 |
Вид упаковки |
лента |
Напряжение затвор-исток |
±12В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI1902CDL-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить SI1902CDL-T1-GE3 VISHAY Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 0,9А; 0,27Вт; SC70 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
27 - 35 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |